机译:使用氮氧化物电介质最大化自对准双多晶硅siGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率
机译:在SOI基板上制造具有沟槽隔离的60 GHz f / sub T /超自对准选择性生长SiGe基(SSSB)双极晶体管及其在20 Gb / s光发射器IC中的应用
机译:使用自对准外延SiGe基双极晶体管在液氮温度下30ps以下的ECL电路工作
机译:将双多晶硅发射极基自对准双极晶体管集成到0.5微米的BiCMOS技术中,以实现快速的4 Mb SRAM
机译:氧氮化物电介质以最大化自对准双重多晶硅SiGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:介电材料HMDS层和通道的影响基于ylene二酰亚胺的有机场效应晶体管的性能长度
机译:双多晶硅自对准横向双极晶体管
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造